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    產(chǎn)品中心

    晶圓薄膜厚度測量設(shè)備

    產(chǎn)品簡介

    WD4000晶圓薄膜厚度測量設(shè)備亞納米級精準(zhǔn)量測,解決半導(dǎo)體工藝中薄膜厚度測量中面臨的"傳統(tǒng)設(shè)備分辨率低,無法捕捉納米級薄膜厚度變化“"硬質(zhì)探針接觸測量易劃傷碳化硅、藍(lán)寶石等精密晶圓表面“"多層/特殊晶圓適配難“等測量難題。

    產(chǎn)品型號:WD4000
    更新時(shí)間:2025-12-11
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    訪問量:106
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    WD4000晶圓薄膜厚度測量設(shè)備亞納米級精準(zhǔn)量測,解決半導(dǎo)體工藝中薄膜厚度測量中面臨的"傳統(tǒng)設(shè)備分辨率低,無法捕捉納米級薄膜厚度變化“"硬質(zhì)探針接觸測量易劃傷碳化硅、藍(lán)寶石等精密晶圓表面“"多層/特殊晶圓適配難“等測量難題。


    一、解決半導(dǎo)體工藝核心痛點(diǎn)

    在半導(dǎo)體制造、外延生長、封裝減薄等核心工藝中,晶圓薄膜厚度的均勻性與精準(zhǔn)度直接決定芯片良率——薄膜厚度偏差哪怕是納米級,都可能導(dǎo)致光刻失焦、薄膜沉積不均、拋光殘留應(yīng)力等連鎖問題,最終造成批量產(chǎn)品報(bào)廢。WD4000以專屬核心技術(shù)突破傳統(tǒng)測量瓶頸,為超精密薄膜量測提供“精準(zhǔn)、高效、無損"的一體化解決方案。

    1.半導(dǎo)體工藝中薄膜厚度測量的四大難題

    (1)精度不足引發(fā)工藝缺陷:傳統(tǒng)設(shè)備分辨率低,無法捕捉納米級薄膜厚度變化,導(dǎo)致薄膜沉積不均、光刻焦點(diǎn)深度波動(dòng),直接影響電路圖案精度與后續(xù)蝕刻效果;

    (2)接觸式測量損傷工件:硬質(zhì)探針接觸測量易劃傷碳化硅、藍(lán)寶石等精密晶圓表面,或破壞脆弱薄膜層,造成高價(jià)值工件報(bào)廢;

    (3)多層/特殊晶圓適配難:鍵合晶圓、外延片等多層結(jié)構(gòu),及低反射率、粗糙表面晶圓的薄膜厚度測量,傳統(tǒng)設(shè)備易出現(xiàn)信號干擾、數(shù)據(jù)失真;

    (4)效率低且數(shù)據(jù)脫節(jié):需多設(shè)備切換測量薄膜厚度、TTV、粗糙度等參數(shù),流程繁瑣且數(shù)據(jù)不同步,難以適配批量生產(chǎn)的高效檢測需求。

    2.WD4000薄膜厚度測量核心技術(shù)優(yōu)勢

    (1) 亞納米級分辨率

    搭載白光干涉光譜分析儀,通過專屬數(shù)值七點(diǎn)相移算法精準(zhǔn)計(jì)算,實(shí)現(xiàn)亞納米級(Z向分辨率0.1nm)薄膜局部高度測量,可捕捉最小納米級厚度變化,確保薄膜厚度數(shù)據(jù)精準(zhǔn)可追溯,滿足半導(dǎo)體工藝對量測精度的嚴(yán)苛要求。

    (2)雙技術(shù)適配多元場景

    紅外傳感器技術(shù):探測光經(jīng)晶圓不同表面反射形成干涉,精準(zhǔn)計(jì)算兩表面間距(即薄膜厚度),專為外延片、鍵合晶圓等多層結(jié)構(gòu)晶圓設(shè)計(jì),輕松破解多層薄膜量測難題;

    非接觸式光學(xué)測量:光譜共焦+白光干涉雙重光學(xué)技術(shù),不接觸晶圓表面與薄膜層,從源頭避免劃傷、磨損等損傷,適配碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅、玻璃片等多種材質(zhì),及光滑/粗糙、低反射率/高反射率等不同表面特性晶圓。

    (3) 一體化集成設(shè)計(jì)

    設(shè)備集成薄膜厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、表面粗糙度等多參數(shù)測量模塊,無需多設(shè)備切換,一次性完成薄膜厚度及關(guān)聯(lián)幾何參數(shù)量測,避免數(shù)據(jù)拼接偏差。搭配自動(dòng)上下料、CCD Mark定位巡航功能,支持多點(diǎn)、線、面自動(dòng)測量,移動(dòng)速度500mm/s,大幅提升批量生產(chǎn)檢測效率。

    (4)抗干擾設(shè)計(jì)+智能算法

    采用高精度花崗巖基座與獨(dú)特隔振設(shè)計(jì),有效抵御地面振動(dòng)與空氣聲波干擾;結(jié)合空間濾波、尖峰去噪等智能數(shù)據(jù)處理算法,過濾環(huán)境與設(shè)備干擾信號,確保薄膜厚度測量數(shù)據(jù)的重復(fù)性與穩(wěn)定性,實(shí)測數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)差低至0.03μm級。


    二、精準(zhǔn)解決客戶核心訴求

    晶圓薄膜厚度測量設(shè)備

    三、全場景覆蓋,不止于半導(dǎo)體

    WD4000晶圓薄膜厚度測量設(shè)備不僅深度適配半導(dǎo)體行業(yè)——覆蓋襯底制造、外延生長、晶圓制造、封裝減薄等前中后道全工藝段,還廣泛應(yīng)用于3C電子玻璃屏、光學(xué)加工、顯示面板、光伏等超精密加工領(lǐng)域,可滿足不同行業(yè)、不同規(guī)格晶圓的薄膜厚度精準(zhǔn)量測需求。


    四、實(shí)測數(shù)據(jù)佐證

    (附:3D厚度熱力圖、2D剖面圖,直觀呈現(xiàn)薄膜厚度分布;支持Excel/Word/TXT/SPC等多格式報(bào)表輸出,含CA/PPK/CPK等統(tǒng)計(jì)值,滿足質(zhì)量管控需求)


    立即聯(lián)系免費(fèi)試樣!寄送您的晶圓樣品(含多層膜、特殊材質(zhì)),獲取專屬薄膜厚度測量實(shí)測報(bào)告!

    (注:支持線上咨詢、線下工廠考察與設(shè)備演示預(yù)約。本產(chǎn)品參數(shù)將根據(jù)技術(shù)迭代持續(xù)優(yōu)化,故本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會(huì)根據(jù)實(shí)際情況隨時(shí)更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。)

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